Diplomski rad - Lukić Emilija

Uticaj mrtvog vremena na komutacione gubitke kodd GaN HEMT i Si MOSFET tranzistora u LLC rezonantnom pretvaraču

Kratak sadržaj diplomskog rada:

KУ овом раду извршено је поређење GaN HEMT и Si MOSFET транзистора прво путем софтверског пакета LТspice, а затим и експериментално. Представљена је функција, структура и дизајн GaN прекидача. Понашање прекидача испитано је у оквиру топологије резонантног претварача са LLC конфигурацијом резонантног тенка снаге 1000W, са ниским улазним напоном у опсегу између 10 и 60 V. О прототипу резонантног претварача биће више речи у последњим поглављима рада. Изложена је анализа прекидачких губитака као и методи за њихову редукцију како за GaN тако и за традиционалне Si MOSFET прекидаче. На крају анализе и представљања резултата добијених путем симулација и експериментално изведени су закључци и кораци за даљи рад.

Diplomski rad možete preuzeti ovde.